Дифракция быстрых электронов
Термин
дифракция быстрых электронов
Термин на английском
reflection high-energy electron diffraction
Аббревиатуры
ДБЭ, RHEED
Связанные термины
дифракция медленных электронов
Определение
метод исследования структуры поверхности твердых тел, основанный на анализе картин дифракции электронов с энергией 5 - 100 кэВ, упруго рассеянных от исследуемой поверхности под скользящими углами
Описание
Чувствительность к структуре поверхности в ДБЭ достигается тем, что первичный пучок падает на исследуемую поверхность под малым скользящим углом порядка 1 - 5о, а также тем, что детектируются только дифракционные пучки, выходящие под малыми углами к поверхности. В результате на всем своем пути свободного пробега электроны остаются в тонкой приповерхностной области. Например, электроны с энергией 50 - 100 кэВ, имея длину свободного пробега порядка 100 нм, при угле падения порядка 1о проникают на глубину не более 1 нм.
На рис. 1 приведена схема экспериментальной аппаратуры для изучения поверхности методом ДБЭ, в которой пучок высокоэнергетических электронов из электронной пушки попадает на поверхность образца под скользящим углом, а продифрагировавшие пучки электронов формируют картину ДБЭ на флюоресцентном экране. В качестве примера на рисунке показана картина ДБЭ от атомарно-чистой поверхности Si(111)7x7. Держатель образца помещается на платформу, которая позволяет вращать образец для получения картин ДБЭ по разным азимутальным направлениям.
Метод ДБЭ позволяет:
Авторы
Ссылки
Иллюстрации
Разделы
Дифракционные методы (рентгеновские, электронные, нейтронные)
Главная |