Ионная имплантация
Термин
ионная имплантация
Термин на английском
ion implantation
Синонимы
ионное внедрение, ионное легирование
Связанные термины
Определение
введение примесных атомов в твердое тело путем его бомбардировки ускоренными ионами.
Описание
При ионной бомбардировке твердых тел, наряду с процессами распыления поверхности, ионно-ионной эмиссии, образования радиационных дефектов и др., происходит проникновение ионов вглубь бомбардируемого объекта (мишени). Наиболее широко ионная имплантация применяется для легирования полупроводников с целью создания p-n переходов, гетеропереходов, низкоомных контактов. Ионную имплантацию в металлы применяют с целью повышения их твердости, износоустойчивости, коррозионной стойкости и т.д. Ионная бомбардировка высокотемпературных сверхпроводников семейства RBa2Cu3Ox может использоваться для создания высокоэффективных центров пиннинга и значительного увеличения плотности критического тока.
Авторы
Ссылки
Иллюстрации
модифицированный поверхностный слой керамики Источник: http://www.irishscientist.ie/2001/contents.asp?contentxml=01p241.xml&contentxsl=IS01pages.xsl |
Разделы
Плазмохимическое, ионно- и электронно-лучевое модифицирование поверхности
Главная |