Словарь нанотехнологий
Край полосы поглощения

Край полосы поглощения

Термин

край полосы поглощения

Термин на английском

absorption edge

Связанные термины

голубой сдвиг, XAFS

Определение

значение энергии электромагнитного излучения, при превышении которого наблюдается резкое увеличение поглощения этого  электромагнитного излучения веществом

Описание

Увеличение поглощения вызвано тем, что энергии квантов электромагнитного излучения становится достаточно для осуществления перехода электронов, взаимодействующих с квантами, в возбуждённое состояние. Типичными примерами присутствия края полосы поглощения в спектрах являются:

1) спектры поглощения рентгеновского излучения (Рис. 1), при котором происходит выбивание электронов из внутренних оболочек атомов;

2) спектры поглощения полупроводников в спектральной области, близкой по энергии к энергии перехода электронов из валентной зоны в зону проводимости, т.е. близкой к ширине запрещённой зоны (Рис. 2).

Авторы

• Толкачев Николай Николаевич, к.х.н.
• Вересов Александр Генрихович, к.х.н.

Ссылки

1. Фетисов Г.В. Синхротронное излучение. Методы исследования структуры веществ. - М.: Физматлит, 2007 - С. 501

Иллюстрации

	Рентгеновский спектр поглощения соединения CuAsSe2 в области краёв поглощения As и Se. Источник: Фетисов Г.В. Синхротронное излучение. Методы исследования структуры веществ. - М.: Физматлит, 2007 - С. 501
	Оптические спектры CdS (ширина запрещённой зоны ~2.5 эВ). Источник: G. A. Mart?nez-Casta??n, M. G. S?nchez-Loredo, J. R. Mart?nez-Mendoza and Facundo Ruiz, The Azo materials online, Volume 1, December 2005, http://www.azom.com/details.asp?ArticleID=3145

Разделы

Нелинейно-оптические методы, в том числе рамановская спектроскопия

Рентгеновская спектроскопия (XAS, EXAFS и др.)

Методы диагностики и исследования наноструктур и наноматериалов

Сенсоры и эффекторы на основе наноматериалов

Нанотехнологии в фотонике и оптоэлектронике, компонентная база и устройства

Получение, диагностика и сертификация наноразмерных систем