Словарь нанотехнологий
Модель поверхности Si(111)7x7

Модель поверхности Si(111)7x7

Термин

модель поверхности Si(111)7x7

Термин на английском

DAS model

Связанные термины

дифракция медленных электронов, микроскопия медленных электронов, поверхность, сканирующая туннельная микроскопия, суперструктура поверхности

Определение

Модель димеров-адатомов и дефекта упаковки, так называемая DAS-модель (dimer-adatom-stacking fault) (см. рис.)

Описание

Модель предложена Такаянаги в 1985 году для описания реконструкции атомарно чистой поверхности Si(111)7?7. Элементарная ячейка реконструкции 7?7 состоит из угловой ямки и двух треугольных подъячеек, которые разделяются димерными рядами; каждая подъячейка содержит по 6 адатомов; атомный слой ниже слоя адатомов в одной из подъячеек находится в ориентации дефекта упаковки. Правильность этой модели была подтверждена результатами последующих многочисленных исследований.

Авторы

• Зотов Андрей Вадимович, д.ф.-м.н.
• Саранин Александр Александрович, д.ф.-м.н.

Ссылки

1. Takayanagi K., Tanishiro Y., Takahashi S., Takahashi M. // Surf. Sci. - V. 164 , 1985 - P. 367

Иллюстрации

Атомарно-чистая поверхность Si(111)7?7: СТМ-изображения (а) заполненных и (б) незаполненных электронных состояний поверхности, (в) схематическое изображение поверхности (вид сверху и вид сбоку) в соответствии с DAS-моделью (dimer-adatom-stacking fault) Такаянаги. Желтыми кружками показаны адатомы Si, красными - димеризованные атомы Si, голубыми - рест-атомы Si второго слоя. Ромбом обведена элементарная ячейка 7?7. Половина элементарной ячейки, содержащая дефект упаковки, помечена как FH (faulted half); половина без дефекта упаковки помечена как UH (unfaulted half). Видно, что на СТМ-изображении заполненных состояний (а) половина ячейки с дефектом упаковки выглядит более яркой. Максимумы на СТМ изображении соответствуют адатомам.

Разделы

Наука