Сканирующая туннельная спектроскопия
Термин
сканирующая туннельная спектроскопия
Термин на английском
scanning tunneling spectroscopy
Аббревиатуры
СТС, STS
Связанные термины
микроскоп, сканирующая туннельная микроскопия, сканирующая зондовая микроскопия, режимы измерений на СТМ
Определение
совокупность методов сканирующей туннельной микроскопии, позволяющих получать информацию о локальной электронной структуре исследуемой поверхности путем варьирования напряжения между иглой и образцом
Описание
Поскольку туннельный ток определяется интегрированием по всем электронным состояниям в интервале энергий, определяемом напряжением V (от нуля до eV), то, варьируя величину V, можно получить информацию о локальной плотности состояний как функции энергии. Наиболее распространенный метод получения этих данных - измерение зависимости туннельного тока I от напряжения V в каждой точке скана при постоянном расстоянии от иглы до образца. Это позволяет либо рассчитать, либо определить прямо, используя аппаратное дифференцирование, зависимость от напряжения так называемой логарифмической производной (dI/dV)/(I/V), что близко соответствует энергетическому спектру плотности электронных состояний образца. Таким образом, в частности, можно получить пространственное распределение плотности состояний при данной энергии.
СТС дает возможность зондировать локальные электронные свойства заранее выбранной и сколь угодно малой, вплоть до одного атома, области на поверхности, что позволяет различать атомы разной химической природы. В общем случае спектроскопическая информация весьма полезна при рассмотрении таких вопросов, как ширина запрещенной зоны, искривление зон у поверхности, природа химических связей.
Авторы
Разделы
Методы диагностики и исследования наноструктур и наноматериалов
| Главная |