Пример структуры, в котрой возникает эффект туннельного магнетосопротивления.
Туннельное магнетосопротивление
Термин
туннельное магнетосопротивление
Термин на английском
tunnel magnetoresistance
Синонимы
туннельное магнитосопротивление
Аббревиатуры
TMR
Связанные термины
гигантское магнетосопротивление, спинтроника
Определение
эффект изменения электрического сопротивления между двумя областями ферромагнетика, разделенными тонким слоем диэлектрика, вследствие туннельных переходов спин-поляризованных носителей под действием магнитного поля.
Описание
Эффект туннельного магнетосопротивления аналогичен гигантскому магнетосопротивлению, однако ферромагнитные области разделены не проводящими, а диамагнитными прослойками. В этом случае транспорт носителей заряда через изолирующую прослойку обеспечивается исключительно квантовомеханическими эффектами. Примером системы, в которой реализуется эффект туннельного магнетосопротивления, может служить композит, представляющий собой ферромагнитные зерна в изолирующей матрице, или слоистая структура, в которой магнитные слои разделены тонкими слоями диэлектрика. В настоящее время на базе эффекта туннельного магнитного сопротивления создана магнеторезистивная оперативная память (MRAM). Эффект также применяется в считывающих головках накопителей на жестких дисках. Данный эффект - один из основных эффектов, который может быть практически реализован в устройствах спинтроники.
Авторы
Ссылки
Иллюстрации
|
|
Пример структуры, в котрой возникает эффект туннельного магнетосопротивления. |
Разделы
Спинтронные устройства (на основе магнитных и немагнитных гетероструктур)
Слоистые магнитные материалы и сверхрешетки
Слоистые материалы с характерными размерами фрагментов порядка постоянной решетки
Спинтроника и устройства на ее основе
Двумерные нанообъекты с характерными толщинами порядка размеров молекул
Наноэлектроника, компонентная база и устройства
| Главная |