ALD - технология нанесения тонких пленок, основанная на последовательном использовании самоограниченных химических реакций.
Источник: Parsons Research Group / http://www.che.ncsu.edu/thinfilm/ald.html
Осаждение атомных слоев
Термин
осаждение атомных слоев
Термин на английском
atomic layer deposition
Синонимы
атомно-слоевое осаждение, молекулярное наслаивание, atomic layer epitaxy
Аббревиатуры
ALD, ALE
Связанные термины
Определение
технология нанесения тонких пленок, основанная на последовательном использовании самоограниченных химических реакций в газовой фазе для точного контроля толщины нанесенного слоя
Описание
В большинстве технологий осаждения атомных слоев используют два химических соединения, которые называют прекурсорами. Эти прекурсоры реагируют с поверхностью поочередно, сначала один, затем другой, что приводит к формированию тонкой пленки.
Технология осаждения атомных слоев, изначально названная эпитаксия атомных слоев, была открыта в 1977 году Туомо Сунтола (Tuomo Suntola) в университете г. Хельсинки в Финляндии. Эта технология во многом похожа на химическое осаждение из газовой фазы. Отличие состоит в том, что в технологии осаждения атомных слоев используют две отдельные химические реакции, в которых прекурсоры не соприкасаются. Разделение прекурсоров обеспечивается продувкой азотом или аргоном. Поскольку используются самоограниченные реакции, суммарная толщина слоев определяется не продолжительностью реакции, а количеством циклов, и толщину каждого слоя удается контролировать с очень высокой точностью.
Технология осаждения атомных слоев используется для нанесения пленок нескольких типов, включая пленки различных оксидов (Al2O3, TiO2, SnO2, ZnO, HfO2), нитридов (TiN, TaN, WN, NbN), металлов (Ru, Ir, Pt) и сульфидов (например, ZnS). К сожалению, пока не существует достаточно дешевых технологий выращивания таких технологически важных материалов, как Si, Ge, Si3N4, некоторых многокомпонентных оксидов.
Авторы
Ссылки
Иллюстрации
Разделы
| Главная |