Химическое осаждение из газовой фазы
Термин
химическое осаждение из газовой фазы
Термин на английском
chemical vapour deposition
Синонимы
химическое осаждение из пара; chemical vapor deposition
Аббревиатуры
CVD
Связанные термины
физическое осаждение из газовой фазы, волокна, борные, волокна, карбидкремниевые, осаждение атомных слоев, плазменно-химическое осаждение из газовой фазы, химическое осаждение из паров металлорганических соединений, эпитаксия газофазная
Определение
метод получения тонких пленок и порошков при помощи высокотемпературных реакций разложения и/или взаимодействия газообразных прекурсоров на подложке (получение пленок) или в объеме реактора (получение порошков)
Описание
Существует множество разновидностей этого метода, отличающихся способом инициации химических реакций и условиями процесса (давление, способ транспортировки паров в область подложки и т.д.). Как правило, в качестве прекурсоров используются соединения, имеющее достаточно высокое давление паров при невысоких температурах (100 - 400оС; хлориды металлов, металлоорганические комплексные соединения). Необходимым условием получения высококачественных пленок этим методом является высокая точность контроля скорости газовых потоков и интенсивности испарения прекурсоров.
Метод химического осаждения из газовой фазы позволяет получать покрытия различной структуры (монокристаллические, эпитаксиальные, аморфные, поликристаллические) на поверхностях сложной формы, в том числе с высокой степенью кривизны. Метод химического осаждения из газовой фазы в условиях объемной конденсации весьма эффективен при получении слабоагрегированных нанопорошков различных соединений.
Авторы
Ссылки
Разделы
| Главная |