Словарь нанотехнологий
Эпитаксия газофазная

Эпитаксия газофазная

Термин

эпитаксия газофазная

Термин на английском

metalorganic vapour phase epitaxy

Аббревиатуры

MOVPE

Связанные термины

гетероэпитаксия, гомоэпитаксия, нановискер, химическое осаждение из паров металлорганических соединений, эпитаксия молекулярно-лучевая, метод

Определение

1) разновидность эпитаксии как одного из нанотехнологических методов получения полупроводниковых гетероструктур;

2) разновидность метода химического осаждения из газовой фазы, при которой формируются эпитаксиальные пленки. 

Описание

Газофазное эпитаксиальное наращивание на подложке монокристаллических слоев полупроводниковых веществ осуществляется из металлоорганических соединений в реакторе при пониженном давлении. Газофазная эпитаксия первоначально разрабатывалась для выращивания кремния и арсенида галлия, сейчас применяется для выращивания большинства полупроводниковых материалов, используемых в микро- и оптоэлектронике. В реакторе располагаются подложки (тонкие срезы монокристалла), к которым поступает газовая смесь. При выращивании кремния основным компонентом газовой смеси является тетрахлорид кремния SiCl₄ или силан SiH₄, при выращивании арсенидов и фосфидов - алкилы соответствующих металлов (Ga(CH₃)₃, Al(CH₃)₃, Ga(C₂H₅)₃, In(C₂H₅)₃), а также арсин AsH₃ и фосфин PH₃. Газовая смесь при высокой температуре пиролитически разлагается вблизи поверхности роста, и элементы третьей группы взаимодействуют с элементами пятой группы, образуя соединения A^IIIB^V. В результате происходит послойное формирование полупроводникового соединения. С помощью газовой эпитаксии выращивают гетероструктуры GaAlAs/GaAs с квантовыми ямами для инжекционных лазеров, гетероструктуры GaAs/GaAlAs с селективным легированием, гетероструктуры с квантовыми точками, широкозонные полупроводниковые материалы на основе GaN для изготовления синих и зелёных светодиодов и коротковолновых лазеров.

Авторы

• Гусев Александр Иванович, д.ф.-м.н.

Ссылки

1. А. И. Гусев. Наноматериалы, наноструктуры, нанотехнологии. Изд. 2-е, исправленное и до-полненное. Москва: Наука-Физматлит, 2007. 416 с.

Иллюстрации

Схема реактора установки газофазной эпитаксии

Разделы

Эпитаксиальные слои

Химическое, термическое и электродуговое ocаждение из газовой фазы (в том числе CVD, EVD, MoCVD, PVD и аналоги)

Получение, диагностика и сертификация наноразмерных систем